IPD50P04P4L11ATMA1, Полевой транзистор P-канальный 40В 50A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 40В |
| Ток стока макс.: | 50A |
| Сопротивление открытого канала: | 10.6 мОм |
| Мощность макс.: | 58Вт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2.2В |
| Заряд затвора: | 59нКл |
| Входная емкость: | 3900пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Наименование: | IPD50P04P4L11ATMA1 |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK |
| Нормоупаковка: | 2500 шт. |
| Корпус: | PG-TO252-3-313 |
Описание
IPD50P04P4L11ATMA1, Полевой транзистор P-канальный 40В 50A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK - надёжный электронный компонент, который широко используется в различных областях электроники.
Технические характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 10.6 мОм Мощность макс.: 58Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate
Производитель: Infineon Technologies. Компонент имеет стабильные характеристики и хорошую тепловую проводимость, что обеспечивает его долговечность.
Назначение: Идеально подходит для использования в телекоммуникационном оборудовании, автомобильной электронике и системах автоматизации.