IXKR25N80C, Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 25 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | IXYS Corporation |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 800В |
| Ток стока макс.: | 25A(Tc) |
| Сопротивление открытого канала: | 150 мОм @ 18А, 10В |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Super Junction |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В @ 2mA |
| Заряд затвора: | 355нКл @ 10В |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Наименование: | IXKR25N80C |
| Производитель: | IXYS Corporation |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS247 |
| Нормоупаковка: | 30 шт. |
| Корпус: | MAX247 |
Описание
Компонент IXKR25N80C, Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 25 А - это современное решение для электронных приложений с высокими требованиями к качеству.
Ключевые характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 25A(Tc) Сопротивление открытого канала: 150 мОм @ 18А, 10В Тип транзистора: N-канал Особенности: Super Junction Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 2mA
Производитель: IXYS Corporation. Благодаря проверенной конструкции и оптимальным параметрам, этот компонент обеспечивает надёжную работу в течение длительного времени.
Рекомендуется для: Систем управления энергией, промышленного оборудования, приборов измерения и контроля.