SI2337DS-T1-E3, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 80В 2.2A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Vishay |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 80В |
| Ток стока макс.: | 2.2A(Tc) |
| Сопротивление открытого канала: | 270 мОм @ 1.2А, 10В |
| Мощность макс.: | 2.5Вт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В @ 250 µA |
| Заряд затвора: | 17нКл @ 10В |
| Входная емкость: | 500пФ @ 40В |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOT23-3 |
| Вес брутто: | 0.04 г. |
| Наименование: | SI2337DS-T1-E3 |
| Производитель: | Vishay |
| Описание Eng: | MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3 |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт |
Описание
Компонент SI2337DS-T1-E3, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 80В 2.2A - это современное решение для электронных приложений с высокими требованиями к качеству.
Ключевые характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 2.2A(Tc) Сопротивление открытого канала: 270 мОм @ 1.2А, 10В Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate
Производитель: Vishay. Благодаря проверенной конструкции и оптимальным параметрам, этот компонент обеспечивает надёжную работу в течение длительного времени.
Рекомендуется для: Систем управления энергией, промышленного оборудования, приборов измерения и контроля.