FQPF19N10, Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 13.6 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 100В |
| Ток стока макс.: | 13.6A |
| Сопротивление открытого канала: | 100 мОм |
| Мощность макс.: | 38Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 25нКл |
| Входная емкость: | 780пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220F |
| Вес брутто: | 3.5 г. |
| Наименование: | FQPF19N10 |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 100V 13.6A TO-220F |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 1000 шт. |
Описание
Компонент FQPF19N10, Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 13.6 А (ON Semiconductor), категория электронные компоненты.
Назначение: компонент категории электронные компоненты для использования в электронных узлах и схемах.
Ключевые параметры:
- Входная емкость: 780пФ
- Заряд затвора: 25нКл
- Корпус: TO-220F
- Мощность макс.: 38Вт
- Наименование: FQPF19N10
- Напряжение исток-сток макс.: 100В
- Нормоупаковка: 1000 шт.
- Описание Eng: MOSFET N-CH 100V 13.6A TO-220F