FDP030N06B_F102, Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 120 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 60В |
| Ток стока макс.: | 120A |
| Сопротивление открытого канала: | 3.1 мОм |
| Мощность макс.: | 205Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 99нКл |
| Входная емкость: | 8030пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220 |
| Вес брутто: | 3.5 г. |
| Наименование: | FDP030N06B_F102 |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 60V 120A TO-220-3 |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 800 шт. |
Описание
Техническое описание: FDP030N06B_F102, Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 120 А. Категория: электронные компоненты. Производитель: ON Semiconductor.
Назначение: компонент категории электронные компоненты для использования в электронных узлах и схемах.
Ключевые параметры:
- Производитель: ON Semiconductor
- Сопротивление открытого канала: 3.1 мОм
- Тип монтажа: Through Hole
- Тип транзистора: N-канал
- Тип упаковки: Tube (туба)
- Ток стока макс.: 120A
- Вес брутто: 3.5 г.
- Входная емкость: 8030пФ