PSMN009-100B,118, Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 75 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | NEXPERIA |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 100В |
| Ток стока макс.: | 75A |
| Сопротивление открытого канала: | 8.8 мОм |
| Мощность макс.: | 230Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 156нКл |
| Входная емкость: | 8250пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | D2PAK/TO263 |
| Вес брутто: | 1.2 г. |
| Наименование: | PSMN009-100B,118 |
| Производитель: | NEXPERIA |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 800 шт. |
Описание
PSMN009-100B,118, Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 75 А - надёжный электронный компонент, который широко используется в различных областях электроники.
Технические характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 8.8 мОм Мощность макс.: 230Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Производитель: NEXPERIA. Компонент имеет стабильные характеристики и хорошую тепловую проводимость, что обеспечивает его долговечность.
Назначение: Идеально подходит для использования в телекоммуникационном оборудовании, автомобильной электронике и системах автоматизации.