FDN327N, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 2А 0.07 Ом, 0.5Вт
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 20В |
| Ток стока макс.: | 2A |
| Сопротивление открытого канала: | 70 мОм |
| Мощность макс.: | 460мВт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate, 1.8V Drive |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 1.5В |
| Заряд затвора: | 6.3нКл |
| Входная емкость: | 423пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOT-23 (SuperSOT-3) |
| Вес брутто: | 0.04 г. |
| Наименование: | FDN327N |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SuperSOT T/R |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт |
Описание
FDN327N, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 2А 0.07 Ом, 0.5Вт - высокопроизводительный электронный компонент, разработанный для использования в современных электронных устройствах и систем.
Производитель: ON Semiconductor. Компонент отличается надёжностью и точностью параметров, что делает его идеальным выбором для профессиональных приложений.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 2A Сопротивление открытого канала: 70 мОм Мощность макс.: 460мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 1.8V Drive
Применение: Используется в промышленных устройствах, системах управления, измерительном оборудовании и прочих высокотехнологичных приложениях.
Товар поставляется в оригинальной упаковке производителя, что гарантирует его качество и сохранность при доставке.