IPB090N06N3GATMA1, Полевой транзистор N-канальный 50A 60В серия OPTIMOS3 TO263
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 60В |
| Ток стока макс.: | 50A |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Наименование: | IPB090N06N3GATMA1 |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 50A 60V OPTIMOS3 TO263 |
| Нормоупаковка: | 1000 шт. |
Описание
IPB090N06N3GATMA1, Полевой транзистор N-канальный 50A 60В серия OPTIMOS3 TO263 - высокопроизводительный электронный компонент, разработанный для использования в современных электронных устройствах и систем.
Производитель: Infineon Technologies. Компонент отличается надёжностью и точностью параметров, что делает его идеальным выбором для профессиональных приложений.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 50A Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Surface Mount Наименование: IPB090N06N3GATMA1 Производитель: Infineon Technologies
Применение: Используется в промышленных устройствах, системах управления, измерительном оборудовании и прочих высокотехнологичных приложениях.
Товар поставляется в оригинальной упаковке производителя, что гарантирует его качество и сохранность при доставке.