• Воронеж, Московский проспект, 114В, оф. 408

SPW47N60C3FKSA1, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 47А 415Вт

Нет изображения
Категория:Одиночные MOSFET транзисторы
Производитель:Infineon Technologies
Наличие:В наличии
Напряжение исток-сток макс.:650В
Ток стока макс.:47A
Сопротивление открытого канала:70 мОм
Мощность макс.:415Вт
Тип транзистора:N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:3.9В
Заряд затвора:320нКл
Входная емкость:6800пФ
Тип монтажа:Through Hole
Корпус:TO-247
Вес брутто:8.5 г.
Наименование:SPW47N60C3FKSA1
Производитель:Infineon Technologies
Описание Eng:MOSFET N-CH 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Тип упаковки:Tube (туба)
Нормоупаковка:30 шт

Описание

Представляем вашему вниманию высокопроизводительный полевой транзистор MOSFET N-канального типа от ведущего производителя Infineon Technologies - SPW47N60C3FKSA1. Этот транзистор обладает впечатляющими техническими характеристиками и широким спектром применения в современной электронной промышленности.

SPW47N60C3FKSA1 характеризуется высоким напряжением сток-исток до 650В, максимальным током стока до 47А и низким сопротивлением открытого канала всего 70 мОм. Данные параметры делают этот транзистор идеальным решением для использования в высоковольтных и высокотоковых силовых схемах, таких как импульсные источники питания, инверторы, преобразователи постоянного тока, сварочные аппараты и другие устройства промышленной электроники.

  • Напряжение исток-сток макс.: 650В
  • Ток стока макс.: 47A
  • Сопротивление открытого канала: 70 мОм
  • Мощность макс.: 415Вт
  • Тип транзистора: N-канал
  • Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В
  • Заряд затвора: 320нКл
  • Входная емкость: 6800пФ
  • Тип монтажа: Through Hole
  • Корпус: TO-247
  • Вес брутто: 8.5 г

Благодаря своим выдающимся характеристикам, транзистор SPW47N60C3FKSA1 находит широкое применение в различных областях электроники, включая промышленное оборудование, бытовую технику, системы возобновляемой энергетики и автомобильную электронику. Его надежность, высокая производительность и универсальность делают его незаменимым компонентом для современных высокотехнологичных разработок.