NTD6415ANLT4G, Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 23 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 100В |
| Ток стока макс.: | 23A |
| Сопротивление открытого канала: | 52 мОм |
| Мощность макс.: | 83Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2В |
| Заряд затвора: | 35нКл |
| Входная емкость: | 1024пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | DPAK/TO-252AA |
| Наименование: | NTD6415ANLT4G |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 100V 23A 56MOHM DPAK |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 2500 шт. |
Описание
Компонент NTD6415ANLT4G, Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 23 А - это современное решение для электронных приложений с высокими требованиями к качеству.
Ключевые характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 23A Сопротивление открытого канала: 52 мОм Мощность макс.: 83Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Производитель: ON Semiconductor. Благодаря проверенной конструкции и оптимальным параметрам, этот компонент обеспечивает надёжную работу в течение длительного времени.
Рекомендуется для: Систем управления энергией, промышленного оборудования, приборов измерения и контроля.