SI7129DN-T1-GE3, Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 35 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Vishay |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 30В |
| Ток стока макс.: | 35A |
| Сопротивление открытого канала: | 11.4 мОм |
| Мощность макс.: | 52.1Вт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2.8В |
| Заряд затвора: | 71нКл |
| Входная емкость: | 3345пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | PowerPAKВ® 1212-8 |
| Наименование: | SI7129DN-T1-GE3 |
| Производитель: | Vishay |
| Описание Eng: | MOSFET P-CH 30V 35A 1212-8 |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт. |
Описание
SI7129DN-T1-GE3, Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 35 А - проверенный и надёжный электронный компонент для профессионального применения.
Спецификация:
- Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 35A Сопротивление открытого канала: 11.4 мОм Мощность макс.: 52.1Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В
Производитель: Vishay. Компонент отвечает всем требованиям стандартов качества и может использоваться как в новых разработках, так и при замене вышедших из строя элементов.
Применение: Широко используется в электропитании, сигнальных цепях, системах управления и защиты электрических устройств.