FDB035AN06A0, Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 80 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 60В |
| Ток стока макс.: | 22A |
| Сопротивление открытого канала: | 3.5 мОм |
| Мощность макс.: | 310Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 124нКл |
| Входная емкость: | 6400пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | D2PAK/TO263 |
| Наименование: | FDB035AN06A0 |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 800 шт. |
Описание
FDB035AN06A0, Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 80 А - проверенный и надёжный электронный компонент для профессионального применения.
Спецификация:
- Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 22A Сопротивление открытого канала: 3.5 мОм Мощность макс.: 310Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Производитель: ON Semiconductor. Компонент отвечает всем требованиям стандартов качества и может использоваться как в новых разработках, так и при замене вышедших из строя элементов.
Применение: Широко используется в электропитании, сигнальных цепях, системах управления и защиты электрических устройств.