FDB120N10, Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 74 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 100В |
| Ток стока макс.: | 74A |
| Сопротивление открытого канала: | 12 мОм |
| Мощность макс.: | 170Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4.5В |
| Заряд затвора: | 86нКл |
| Входная емкость: | 5605пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | D2PAK/TO263 |
| Наименование: | FDB120N10 |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET NCH 100V 74A D2PAK |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 800 шт. |
Описание
FDB120N10, Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 74 А - проверенный и надёжный электронный компонент для профессионального применения.
Спецификация:
- Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 74A Сопротивление открытого канала: 12 мОм Мощность макс.: 170Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Производитель: ON Semiconductor. Компонент отвечает всем требованиям стандартов качества и может использоваться как в новых разработках, так и при замене вышедших из строя элементов.
Применение: Широко используется в электропитании, сигнальных цепях, системах управления и защиты электрических устройств.