• Воронеж, Московский проспект, 114В, оф. 408

IRLML6401TRPBF, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 4.3А 1.3Вт

Нет изображения
Категория:Одиночные MOSFET транзисторы
Производитель:Infineon Technologies
Цена:6,00 руб.
Наличие:В наличии
Напряжение исток-сток макс.:12В
Ток стока макс.:4.3A
Сопротивление открытого канала:50 мОм
Мощность макс.:1.3Вт
Тип транзистора:P-канал
Особенности:Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:950mВ
Заряд затвора:15нКл
Входная емкость:830пФ
Тип монтажа:Surface Mount
Корпус:Micro3™ (SOT-23/TO-236AB)
Вес брутто:0.06 г.
Наименование:IRLML6401TRPBF
Производитель:Infineon Technologies
Описание Eng:MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23, 1.3W
Тип упаковки:Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:3000 шт

Описание

Представляем вашему вниманию IRLML6401TRPBF - высококачественный P-канальный полевой транзистор MOSFET от ведущего производителя Infineon Technologies. Этот миниатюрный компонент предназначен для широкого спектра применений в современной электронике, где требуется надежное управление электрическими цепями с низким сопротивлением открытого канала и высокой коммутируемой мощностью.

Транзистор IRLML6401TRPBF обладает ключевыми характеристиками, позволяющими использовать его в широком диапазоне схемотехнических решений:

  • Напряжение исток-сток макс.: 12В
  • Ток стока макс.: 4.3А
  • Сопротивление открытого канала: 50 мОм
  • Мощность макс.: 1.3Вт
  • Тип транзистора: P-канал
  • Особенности: Logic Level Gate
  • Пороговое напряжение включения макс.: 950мВ
  • Заряд затвора: 15нКл
  • Входная емкость: 830пФ
  • Тип монтажа: Surface Mount
  • Корпус: Micro3™ (SOT-23/TO-236AB)
  • Вес брутто: 0.06 г
  • Описание Eng: MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23, 1.3W
  • Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
  • Нормоупаковка: 3000 шт

Транзистор IRLML6401TRPBF идеально подходит для использования в цепях управления питанием, схемах защиты от перегрузок, инверторах, импульсных источниках питания и других приложениях, где требуется надежное и эффективное коммутирование электрических сигналов. Благодаря своим компактным размерам и высокой производительности, этот компонент является отличным выбором для разработчиков современной электроники.