IRF8788PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 24А 2.5Вт
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 30В |
| Ток стока макс.: | 24A |
| Сопротивление открытого канала: | 2.8 мОм |
| Мощность макс.: | 2.5Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2.35В |
| Заряд затвора: | 66нКл |
| Входная емкость: | 5720пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Вес брутто: | 0.2 г. |
| Наименование: | IRF8788PBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin SOIC Tube |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 95 шт |
| Корпус: | SO-8 |
Описание
IRF8788PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 24А 2.5Вт - высокопроизводительный электронный компонент, разработанный для использования в современных электронных устройствах и систем.
Производитель: Infineon Technologies. Компонент отличается надёжностью и точностью параметров, что делает его идеальным выбором для профессиональных приложений.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 24A Сопротивление открытого канала: 2.8 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Применение: Используется в промышленных устройствах, системах управления, измерительном оборудовании и прочих высокотехнологичных приложениях.
Товар поставляется в оригинальной упаковке производителя, что гарантирует его качество и сохранность при доставке.