IRF7853TRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 8.3A 8-SOIC
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 100В |
| Ток стока макс.: | 8.3A(Ta) |
| Сопротивление открытого канала: | 18 мОм @ 8.3А, 10В |
| Мощность макс.: | 2.5Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Standard |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4.9В @ 100 µA |
| Заряд затвора: | 39нКл @ 10В |
| Входная емкость: | 1640пФ @ 25В |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOIC8 |
| Вес брутто: | 0.14 г. |
| Наименование: | IRF7853TRPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-SOIC |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 4000 шт |
Описание
IRF7853TRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 8.3A 8-SOIC - проверенный и надёжный электронный компонент для профессионального применения.
Спецификация:
- Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 8.3A(Ta) Сопротивление открытого канала: 18 мОм @ 8.3А, 10В Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard
Производитель: Infineon Technologies. Компонент отвечает всем требованиям стандартов качества и может использоваться как в новых разработках, так и при замене вышедших из строя элементов.
Применение: Широко используется в электропитании, сигнальных цепях, системах управления и защиты электрических устройств.