IRFB3207ZGPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 120A TO-220AB
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 75В |
| Ток стока макс.: | 120A(Tc) |
| Сопротивление открытого канала: | 4.1 мОм @ 75А, 10В |
| Мощность макс.: | 300Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В @ 150 µA |
| Заряд затвора: | 170нКл @ 10В |
| Входная емкость: | 6920пФ @ 50В |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220AB |
| Вес брутто: | 2.9 г. |
| Наименование: | IRFB3207ZGPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 50 шт |
Описание
IRFB3207ZGPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 120A TO-220AB - надёжный электронный компонент, который широко используется в различных областях электроники.
Технические характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 120A(Tc) Сопротивление открытого канала: 4.1 мОм @ 75А, 10В Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Производитель: Infineon Technologies. Компонент имеет стабильные характеристики и хорошую тепловую проводимость, что обеспечивает его долговечность.
Назначение: Идеально подходит для использования в телекоммуникационном оборудовании, автомобильной электронике и системах автоматизации.