IRLMS1902TRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 3.2A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 20В |
| Ток стока макс.: | 3.2A(Ta) |
| Сопротивление открытого канала: | 100 мОм @ 2.2А, 4.5В |
| Мощность макс.: | 1.7Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 700mВ @ 250 µA |
| Заряд затвора: | 7нКл @ 4.5В |
| Входная емкость: | 300пФ @ 15В |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Вес брутто: | 0.03 г. |
| Наименование: | IRLMS1902TRPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-TSOP |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт |
| Корпус: | Micro6[тм](TSOP-6) |
Описание
IRLMS1902TRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 3.2A - качественный компонент с точными параметрами и надёжной конструкцией.
Производитель: Infineon Technologies. Этот компонент соответствует международным стандартам качества и прошёл все необходимые испытания.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3.2A(Ta) Сопротивление открытого канала: 100 мОм @ 2.2А, 4.5В Мощность макс.: 1.7Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Область применения: Компонент используется в электронных системах, требующих высокой надёжности и стабильной работы в различных условиях окружающей среды.