Представляем вашему вниманию высокопроизводительный полевой N-канальный MOSFET транзистор IRFB4710PBF от компании Infineon Technologies. Данная модель отличается высокой надежностью, эффективностью и широким диапазоном применения в различных электронных устройствах.

Транзистор IRFB4710PBF обладает внушительными характеристиками, которые делают его незаменимым компонентом для разработки мощных электронных схем. Его основные параметры включают:

• Напряжение исток-сток макс.: 100В
• Ток стока макс.: 75A
• Мощность макс.: 200Вт
• Тип транзистора: N-канал
• Тип монтажа: Through Hole
• Корпус: TO-220AB
• Вес брутто: 2.97 г.
• Описание Eng: MOSFET N-CH 100V 75A TO-220AB
• Тип упаковки: Tube (туба)
• Нормоупаковка: 50 шт

Благодаря своим характеристикам, транзистор IRFB4710PBF находит широкое применение в различных областях электроники. Он идеально подходит для использования в мощных импульсных источниках питания, преобразователях напряжения, инверторах, сварочном оборудовании, электродвигателях и других устройствах, требующих надежного и эффективного управления большими токами. Высокое напряжение пробоя и большая мощность позволяют применять этот транзистор в самых ответственных и нагруженных схемах.