IRFB38N20DPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 43А 320Вт
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 200В |
| Ток стока макс.: | 43A |
| Сопротивление открытого канала: | 54 мОм |
| Мощность макс.: | 3.8Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 5В |
| Заряд затвора: | 91нКл |
| Входная емкость: | 2900пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220AB |
| Вес брутто: | 2.7 г. |
| Наименование: | IRFB38N20DPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 200V 43A TO-220AB, 320Вт |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 50 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию высокопроизводительный полевой транзистор IRFB38N20DPBF от ведущего производителя Infineon Technologies. Этот транзистор с напряжением сток-исток до 200В и током стока до 43А отличается надежностью и широким диапазоном применения в современной электронике.
Транзистор IRFB38N20DPBF обладает рядом ключевых технических характеристик, которые делают его незаменимым компонентом в различных схемах:
- Напряжение исток-сток макс.: 200В
- Ток стока макс.: 43A
- Сопротивление открытого канала: 54 мОм
- Мощность макс.: 3.8Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Пороговое напряжение включения макс.: 5В
- Заряд затвора: 91нКл
- Входная емкость: 2900пФ
- Тип монтажа: Through Hole
- Корпус: TO-220AB
- Вес брутто: 2.7 г.
Транзистор IRFB38N20DPBF находит широкое применение в различных областях электроники, включая импульсные источники питания, инверторы, регуляторы напряжения, усилители мощности и другие устройства, требующие высокой надежности и производительности компонентов. Его высокие характеристики по напряжению, току и мощности делают его незаменимым выбором для инженеров, проектирующих современные электронные системы.