NVD5865NLT4G, Полевой транзистор N-канальный 60В 10A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 60В |
| Ток стока макс.: | 10A |
| Сопротивление открытого канала: | 16 мОм |
| Мощность макс.: | 3.1Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2В |
| Заряд затвора: | 29нКл |
| Входная емкость: | 1400пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | DPAK/TO-252AA |
| Наименование: | NVD5865NLT4G |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | Trans MOSFET N-CH 60V 10A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
| Нормоупаковка: | 2500 шт. |
Описание
NVD5865NLT4G, Полевой транзистор N-канальный 60В 10A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке - высокопроизводительный электронный компонент, разработанный для использования в современных электронных устройствах и систем.
Производитель: ON Semiconductor. Компонент отличается надёжностью и точностью параметров, что делает его идеальным выбором для профессиональных приложений.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 16 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Применение: Используется в промышленных устройствах, системах управления, измерительном оборудовании и прочих высокотехнологичных приложениях.
Товар поставляется в оригинальной упаковке производителя, что гарантирует его качество и сохранность при доставке.