IRFIBE30GPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 2.1A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Vishay |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 800В |
| Ток стока макс.: | 2.1A |
| Сопротивление открытого канала: | 3 Ом |
| Мощность макс.: | 35Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 78нКл |
| Входная емкость: | 1300пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220F |
| Вес брутто: | 2.97 г. |
| Наименование: | IRFIBE30GPBF |
| Производитель: | Vishay |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 800V 2.1A TO220FP |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 50 шт |
Описание
IRFIBE30GPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 2.1A - качественный компонент с точными параметрами и надёжной конструкцией.
Производитель: Vishay. Этот компонент соответствует международным стандартам качества и прошёл все необходимые испытания.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 2.1A Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 35Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Область применения: Компонент используется в электронных системах, требующих высокой надёжности и стабильной работы в различных условиях окружающей среды.