STP6NK60ZFP, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 6А 32Вт
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ST Microelectronics |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 600В |
| Ток стока макс.: | 6A |
| Сопротивление открытого канала: | 1.2 Ом |
| Мощность макс.: | 30Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4.5В |
| Заряд затвора: | 46нКл |
| Входная емкость: | 905пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220FP |
| Вес брутто: | 2.46 г. |
| Наименование: | STP6NK60ZFP |
| Производитель: | ST Microelectronics |
| Описание Eng: | N-MOS+D 600V, 6A, 32W |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 50 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию мощный полевой транзистор N-канала STP6NK60ZFP от производителя ST Microelectronics. Данный компонент отличается высокой надежностью, эффективностью и универсальностью, что делает его идеальным выбором для широкого спектра электронных устройств и силовых приложений.
Транзистор STP6NK60ZFP обладает максимальным напряжением сток-исток 600В и максимальным током стока 6А, что позволяет использовать его в высоковольтных схемах и приложениях с высокой мощностью. Его низкое сопротивление открытого канала всего 1.2 Ом обеспечивает высокую энергоэффективность, а максимальная мощность 30Вт обеспечивает необходимый запас по рассеиваемой мощности.
- Напряжение исток-сток макс.: 600В
- Ток стока макс.: 6A
- Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом
- Мощность макс.: 30Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
- Заряд затвора: 46нКл
- Входная емкость: 905пФ
- Тип монтажа: Through Hole
- Корпус: TO-220FP
- Вес брутто: 2.46 г.
Благодаря своим характеристикам, транзистор STP6NK60ZFP находит широкое применение в различных областях электроники, таких как импульсные источники питания, преобразователи энергии, инверторы для возобновляемых источников энергии, регуляторы напряжения, а также в промышленном и бытовом оборудовании, где требуется надежный и эффективный коммутационный элемент. Высокая надежность и долговечность делают этот транзистор идеальным выбором для ответственных применений.