• Воронеж, Московский проспект, 114В, оф. 408

STP4NK60Z, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 4А 70Вт

Нет изображения
Категория:Одиночные MOSFET транзисторы
Производитель:ST Microelectronics
Наличие:В наличии
Напряжение исток-сток макс.:600В
Ток стока макс.:4A
Сопротивление открытого канала:2 Ом
Мощность макс.:70Вт
Тип транзистора:N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:4.5В
Заряд затвора:26нКл
Входная емкость:510пФ
Тип монтажа:Through Hole
Корпус:TO-220
Вес брутто:3.57 г.
Наименование:STP4NK60Z
Производитель:ST Microelectronics
Описание Eng:N-MOS 600V, 4A, 70W
Тип упаковки:Tube (туба)
Нормоупаковка:50 шт

Описание

Представляем вашему вниманию полевой N-канальный MOSFET транзистор STP4NK60Z от компании ST Microelectronics. Этот высокопроизводительный транзистор обладает рядом выдающихся характеристик, которые делают его надежным и универсальным решением для широкого спектра электронных устройств.

Транзистор STP4NK60Z отличается высоким напряжением сток-исток до 600В, а также максимальным током стока до 4А и мощностью до 70Вт. Благодаря низкому сопротивлению открытого канала в 2 Ом, он обеспечивает высокую эффективность и малые потери при коммутации мощных нагрузок.

  • Напряжение исток-сток макс.: 600В
  • Ток стока макс.: 4A
  • Сопротивление открытого канала: 2 Ом
  • Мощность макс.: 70Вт
  • Тип транзистора: N-канал
  • Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
  • Заряд затвора: 26нКл
  • Входная емкость: 510пФ
  • Тип монтажа: Through Hole
  • Корпус: TO-220

Благодаря своим характеристикам, транзистор STP4NK60Z идеально подходит для использования в широком спектре электронных устройств, включая импульсные источники питания, преобразователи напряжения, приводы электродвигателей, коммутаторы и другие применения, требующие высокой мощности и надежности. Этот транзистор является отличным выбором для инженеров, стремящихся создавать эффективные и надежные электронные системы.