IRF2903ZPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 75А 290Вт
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 30В |
| Ток стока макс.: | 75A |
| Сопротивление открытого канала: | 2.4 мОм |
| Мощность макс.: | 290Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 240нКл |
| Входная емкость: | 6320пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220 Isolated Tab |
| Вес брутто: | 2.7 г. |
| Наименование: | IRF2903ZPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 30V 75A TO-220AB |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 50 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию мощный N-канальный полевой транзистор MOSFET IRF2903ZPBF от производителя Infineon Technologies. Данный компонент отличается высокой производительностью и широкими возможностями применения в различных электронных устройствах.
Транзистор IRF2903ZPBF обладает максимальным напряжением сток-исток 30В, максимальным током стока до 75А и максимальной мощностью 290Вт. Сопротивление открытого канала составляет всего 2.4 мОм, что позволяет добиться высокой эффективности и низких потерь. Особенностью модели является наличие логического уровня управления затвором, что упрощает интеграцию в схемы с микроконтроллерами и другой цифровой электроникой.
- Напряжение исток-сток макс.: 30В
- Ток стока макс.: 75А
- Сопротивление открытого канала: 2.4 мОм
- Мощность макс.: 290Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Пороговое напряжение включения макс.: 4В
- Заряд затвора: 240нКл
- Входная емкость: 6320пФ
- Тип монтажа: Through Hole
- Корпус: TO-220 Isolated Tab
- Вес брутто: 2.7 г
- Описание Eng: MOSFET N-CH 30V 75A TO-220AB
- Тип упаковки: Tube (туба)
- Нормоупаковка: 50 шт
Транзистор IRF2903ZPBF находит широкое применение в импульсных источниках питания, преобразователях напряжения, электродвигателях, сварочном оборудовании и других силовых электронных устройствах. Благодаря высокой производительности и надежности, этот компонент является отличным выбором для задач, требующих коммутации больших токов и мощностей.