IRLL024NPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 3.1А 2.1Вт, 0.065 Ом
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 55В |
| Ток стока макс.: | 3.1A |
| Сопротивление открытого канала: | 65 мОм |
| Мощность макс.: | 1Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2В |
| Заряд затвора: | 15.6нКл |
| Входная емкость: | 510пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOT-223 |
| Вес брутто: | 0.25 г. |
| Наименование: | IRLL024NPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 Tube |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 80 шт |
Описание
IRLL024NPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 3.1А 2.1Вт, 0.065 Ом - надёжный электронный компонент, который широко используется в различных областях электроники.
Технические характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 3.1A Сопротивление открытого канала: 65 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Производитель: Infineon Technologies. Компонент имеет стабильные характеристики и хорошую тепловую проводимость, что обеспечивает его долговечность.
Назначение: Идеально подходит для использования в телекоммуникационном оборудовании, автомобильной электронике и системах автоматизации.