IRFL014NPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.7А 2.0Вт, 0.2 Ом
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 55В |
| Ток стока макс.: | 1.9A |
| Сопротивление открытого канала: | 160 мОм |
| Мощность макс.: | 1Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 11нКл |
| Входная емкость: | 190пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOT-223 |
| Вес брутто: | 0.25 г. |
| Наименование: | IRFL014NPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH Si 55V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 Tube |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 80 шт |
Описание
Компонент IRFL014NPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.7А 2.0Вт, 0.2 Ом - это современное решение для электронных приложений с высокими требованиями к качеству.
Ключевые характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 1.9A Сопротивление открытого канала: 160 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Производитель: Infineon Technologies. Благодаря проверенной конструкции и оптимальным параметрам, этот компонент обеспечивает надёжную работу в течение длительного времени.
Рекомендуется для: Систем управления энергией, промышленного оборудования, приборов измерения и контроля.