• Воронеж, Московский проспект, 114В, оф. 408

IRFP4368PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 195А 520Вт

Нет изображения
Категория:Одиночные MOSFET транзисторы
Производитель:Infineon Technologies
Наличие:В наличии
Напряжение исток-сток макс.:75В
Ток стока макс.:195A
Сопротивление открытого канала:1.85 мОм
Мощность макс.:520Вт
Тип транзистора:N-канал
Особенности:Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:570нКл
Входная емкость:19230пФ
Тип монтажа:Through Hole
Корпус:TO-247AC
Вес брутто:7.16 г.
Наименование:IRFP4368PBF
Производитель:Infineon Technologies
Описание Eng:MOSFET N-CH Si 75V 350A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Тип упаковки:Tube (туба)
Нормоупаковка:25 шт

Описание

Представляем вашему вниманию высокопроизводительный полевой транзистор MOSFET N-канального типа от компании Infineon Technologies - IRFP4368PBF. Данный транзистор отличается надежностью, высокими техническими характеристиками и широким спектром применения в различных электронных устройствах.

Транзистор IRFP4368PBF обладает внушительными параметрами: максимальное напряжение сток-исток составляет 75В, а максимальный ток стока достигает 195А. Благодаря низкому сопротивлению открытого канала всего 1.85 мОм, транзистор демонстрирует высокую эффективность и малые потери. Максимальная мощность, которую может рассеивать данный компонент, составляет 520Вт.

  • Напряжение исток-сток макс.: 75В
  • Ток стока макс.: 195A
  • Сопротивление открытого канала: 1.85 мОм
  • Мощность макс.: 520Вт
  • Тип транзистора: N-канал
  • Особенности: Logic Level Gate
  • Пороговое напряжение включения макс.: 4В
  • Заряд затвора: 570нКл
  • Входная емкость: 19230пФ
  • Тип монтажа: Through Hole
  • Корпус: TO-247AC
  • Вес брутто: 7.16 г.

Транзистор IRFP4368PBF от Infineon Technologies находит широкое применение в различных областях электроники, таких как импульсные источники питания, инверторы, преобразователи напряжения, электроприводы, сварочное оборудование и многое другое. Благодаря своим превосходным техническим характеристикам, он является отличным выбором для использования в высокомощных и энергоэффективных устройствах.