IRFP4368PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 195А 520Вт
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 75В |
| Ток стока макс.: | 195A |
| Сопротивление открытого канала: | 1.85 мОм |
| Мощность макс.: | 520Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 570нКл |
| Входная емкость: | 19230пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-247AC |
| Вес брутто: | 7.16 г. |
| Наименование: | IRFP4368PBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH Si 75V 350A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 25 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию высокопроизводительный полевой транзистор MOSFET N-канального типа от компании Infineon Technologies - IRFP4368PBF. Данный транзистор отличается надежностью, высокими техническими характеристиками и широким спектром применения в различных электронных устройствах.
Транзистор IRFP4368PBF обладает внушительными параметрами: максимальное напряжение сток-исток составляет 75В, а максимальный ток стока достигает 195А. Благодаря низкому сопротивлению открытого канала всего 1.85 мОм, транзистор демонстрирует высокую эффективность и малые потери. Максимальная мощность, которую может рассеивать данный компонент, составляет 520Вт.
- Напряжение исток-сток макс.: 75В
- Ток стока макс.: 195A
- Сопротивление открытого канала: 1.85 мОм
- Мощность макс.: 520Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Особенности: Logic Level Gate
- Пороговое напряжение включения макс.: 4В
- Заряд затвора: 570нКл
- Входная емкость: 19230пФ
- Тип монтажа: Through Hole
- Корпус: TO-247AC
- Вес брутто: 7.16 г.
Транзистор IRFP4368PBF от Infineon Technologies находит широкое применение в различных областях электроники, таких как импульсные источники питания, инверторы, преобразователи напряжения, электроприводы, сварочное оборудование и многое другое. Благодаря своим превосходным техническим характеристикам, он является отличным выбором для использования в высокомощных и энергоэффективных устройствах.