IPL60R199CPAUMA1, Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 16.4 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 650В |
| Ток стока макс.: | 16.4A |
| Сопротивление открытого канала: | 199 мОм |
| Мощность макс.: | 139Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 3.5В |
| Заряд затвора: | 32нКл |
| Входная емкость: | 1520пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Наименование: | IPL60R199CPAUMA1 |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 650V 16.4A 4VSON |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт. |
| Корпус: | PG-VSON-4 |
Описание
IPL60R199CPAUMA1, Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 16.4 А - качественный компонент с точными параметрами и надёжной конструкцией.
Производитель: Infineon Technologies. Этот компонент соответствует международным стандартам качества и прошёл все необходимые испытания.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 16.4A Сопротивление открытого канала: 199 мОм Мощность макс.: 139Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В
Область применения: Компонент используется в электронных системах, требующих высокой надёжности и стабильной работы в различных условиях окружающей среды.