IPP120N20NFDAKSA1, Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 84 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 200В |
| Ток стока макс.: | 84A |
| Сопротивление открытого канала: | 12 мОм |
| Мощность макс.: | 300Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 87нКл |
| Входная емкость: | 6650пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220 |
| Наименование: | IPP120N20NFDAKSA1 |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 200V 84A TO220 |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 500 шт. |
Описание
IPP120N20NFDAKSA1, Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 84 А - проверенный и надёжный электронный компонент для профессионального применения.
Спецификация:
- Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 84A Сопротивление открытого канала: 12 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Производитель: Infineon Technologies. Компонент отвечает всем требованиям стандартов качества и может использоваться как в новых разработках, так и при замене вышедших из строя элементов.
Применение: Широко используется в электропитании, сигнальных цепях, системах управления и защиты электрических устройств.