Представляем вашему вниманию высококачественный полевой транзистор MOSFET N-канальный IRFB23N20DPBF от надежного производителя Infineon Technologies. Этот компонент отличается высокой производительностью, надежностью и широкими возможностями применения в различных электронных устройствах.

Транзистор IRFB23N20DPBF обладает рядом выдающихся технических характеристик, которые делают его идеальным выбором для широкого спектра задач. Его основные параметры включают максимальное напряжение сток-исток 200 В, максимальный ток стока 24 А и сопротивление открытого канала всего 100 мОм, что обеспечивает высокую эффективность и низкие потери.

• Напряжение исток-сток макс.: 200В
• Ток стока макс.: 24A
• Сопротивление открытого канала: 100 мОм
• Мощность макс.: 3.8Вт
• Тип транзистора: N-канал
• Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В
• Заряд затвора: 86нКл
• Входная емкость: 1960пФ
• Тип монтажа: Through Hole
• Корпус: TO-220 Isolated Tab
• Вес брутто: 2.94 г
• Описание Eng: MOSFET N-CH 200V 24A TO-220AB
• Тип упаковки: Tube (туба)
• Нормоупаковка: 50 шт

Транзистор IRFB23N20DPBF от Infineon Technologies находит широкое применение в различных областях электроники, включая импульсные источники питания, инверторы, регуляторы напряжения, системы управления двигателями и многое другое. Его высокая мощность, низкие потери и надежность делают его отличным выбором для проектирования энергоэффективных и надежных электронных устройств.