Транзистор полевой MOSFET N-канальный IRFB3077PBF от Infineon Technologies – это высокопроизводительный компонент, предназначенный для широкого спектра применений в электронной промышленности. Обладая впечатляющими характеристиками, данный транзистор является отличным выбором для разработчиков, стремящихся к надежности, эффективности и высокой производительности своих устройств.

С номинальным напряжением сток-исток до 75В, током стока до 120А и максимальной мощностью 370Вт, IRFB3077PBF демонстрирует выдающиеся возможности, позволяя создавать высокопроизводительные схемы управления двигателями, импульсные источники питания, инверторы и другие энергоемкие приложения.

• Напряжение исток-сток макс.: 75В
• Ток стока макс.: 120А
• Сопротивление открытого канала: 3.3 мОм
• Мощность макс.: 370Вт
• Тип транзистора: N-канал
• Особенности: Logic Level Gate
• Пороговое напряжение включения макс.: 4В
• Заряд затвора: 220нКл
• Входная емкость: 9400пФ
• Тип монтажа: Through Hole
• Корпус: TO-220AB
• Вес брутто: 2.94 г
• Описание Eng: MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB, 370W
• Тип упаковки: Tube (туба)
• Нормоупаковка: 50 шт

Благодаря своим характеристикам, транзистор IRFB3077PBF идеально подходит для применения в мощных преобразователях энергии, системах управления электродвигателями, сварочном оборудовании, источниках бесперебойного питания, а также в других высокомощных электронных устройствах, где требуются надежность, эффективность и высокая производительность.