Представляем вашему вниманию высокопроизводительное статическое оперативное запоминающее устройство (SRAM) от компании Integrated Silicon Solution, Inc. Модель IS61WV51216BLL-10TLI отличается компактными размерами, низким энергопотреблением и сверхбыстрым доступом к данным, что делает её идеальным выбором для широкого спектра применений в современной электронике.

Данная микросхема SRAM имеет объем памяти 8 Мбит (512K x 16) и работает на частоте до 100 МГц с асинхронным параллельным интерфейсом. Она поддерживает широкий диапазон напряжений питания от 2,4 В до 3,6 В, что обеспечивает гибкость при интеграции в различные устройства.

• Тип памяти: SRAM - Asynchronous
• Объем и организация памяти: 8M (512K x 16)
• Быстродействие: 10ns
• Интерфейс: Parallel
• Напряжение питания: 2.4 V ~ 3.6 V
• Корпус: TSOP44-II
• Вес брутто: 2.7 г
• Примечание: 512K x 16, 2.5/3.3V
• Описание Eng: SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 8M-Bit 512K x 16 10ns
• Тип упаковки: Palette (палетта)
• Нормоупаковка: 135 шт

Микросхема IS61WV51216BLL-10TLI находит широкое применение в различных областях электроники, включая промышленную автоматизацию, телекоммуникационное оборудование, бытовую технику, медицинские устройства и многое другое. Её высокая скорость, низкое энергопотребление и компактные размеры делают её незаменимым компонентом для разработки современных, эффективных и надежных электронных систем.