• Воронеж, Московский проспект, 114В, оф. 408

STP6NK60Z, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 6А 104Вт

Нет изображения
Категория:Одиночные MOSFET транзисторы
Производитель:ST Microelectronics
Наличие:В наличии
Напряжение исток-сток макс.:600В
Ток стока макс.:6A
Сопротивление открытого канала:1.2 Ом
Мощность макс.:110Вт
Тип транзистора:N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:4.5В
Заряд затвора:46нКл
Входная емкость:905пФ
Тип монтажа:Through Hole
Корпус:TO-220
Вес брутто:2.85 г.
Наименование:STP6NK60Z
Производитель:ST Microelectronics
Описание Eng:N-MOS+D 600V, 6A, 104W
Тип упаковки:Tube (туба)
Нормоупаковка:50 шт

Описание

Представляем вашему вниманию мощный полевой транзистор MOSFET N-канала STP6NK60Z от ST Microelectronics. Этот надежный компонент обладает впечатляющими характеристиками и широкими возможностями применения в современной электронике.

Основные преимущества транзистора STP6NK60Z включают в себя высокое напряжение сток-исток до 600В, максимальный ток стока до 6А и мощность до 110Вт. Благодаря низкому сопротивлению открытого канала всего 1.2 Ом, этот транзистор обеспечивает высокую эффективность и малые потери энергии в различных схемах.

  • Напряжение исток-сток макс.: 600В
  • Ток стока макс.: 6A
  • Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом
  • Мощность макс.: 110Вт
  • Тип транзистора: N-канал
  • Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
  • Заряд затвора: 46нКл
  • Входная емкость: 905пФ
  • Тип монтажа: Through Hole
  • Корпус: TO-220

Транзистор STP6NK60Z идеально подходит для использования в различных силовых схемах, таких как импульсные источники питания, инверторы, преобразователи напряжения, регуляторы, а также в промышленном и бытовом оборудовании. Его высокая надежность и производительность делают его незаменимым компонентом для современной электроники.