Представляем вашему вниманию мощный полевой N-канальный MOSFET транзистор IRFB33N15DPBF от компании Infineon Technologies. Этот высокопроизводительный компонент отличается широким диапазоном рабочих напряжений, высокой токовой нагрузкой и малым сопротивлением открытого канала, что делает его идеальным выбором для широкого спектра применений в электронной и электротехнической промышленности.

Транзистор IRFB33N15DPBF обладает следующими ключевыми характеристиками:

• Напряжение исток-сток макс.: 150В
• Ток стока макс.: 33A
• Сопротивление открытого канала: 56 мОм
• Мощность макс.: 3.8Вт
• Тип транзистора: N-канал
• Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В
• Заряд затвора: 90нКл
• Входная емкость: 2020пФ
• Тип монтажа: Through Hole
• Корпус: TO-220AB
• Вес брутто: 3.04 г

Транзистор IRFB33N15DPBF находит широкое применение в различных областях электроники, таких как источники питания, инверторы, преобразователи напряжения, электродвигатели, устройства управления и коммутации. Благодаря своим высоким характеристикам, он идеально подходит для использования в мощных электронных системах, где требуется надежная и эффективная работа компонентов.