STN2NF10, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 2.4А 0.23 Ом, 3.3Вт
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ST Microelectronics |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 100В |
| Ток стока макс.: | 2.4A |
| Сопротивление открытого канала: | 260 мОм |
| Мощность макс.: | 3.3Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 14нКл |
| Входная емкость: | 280пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOT-223 |
| Вес брутто: | 0.85 г. |
| Наименование: | STN2NF10 |
| Производитель: | ST Microelectronics |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 100V 2.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 4000 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию высококачественный полевой транзистор MOSFET N-канала от компании ST Microelectronics - STN2NF10. Этот компонент отличается высокой надежностью, производительностью и широким спектром применения в современной электронике.
STN2NF10 - это N-канальный полевой транзистор с максимальным напряжением сток-исток 100В и максимальным током стока до 2.4А. Сопротивление открытого канала составляет всего 260 мОм, что обеспечивает низкие потери мощности и высокую эффективность схем. Максимальная рассеиваемая мощность транзистора достигает 3.3Вт.
- Напряжение исток-сток макс.: 100В
- Ток стока макс.: 2.4A
- Сопротивление открытого канала: 260 мОм
- Мощность макс.: 3.3Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Пороговое напряжение включения макс.: 4В
- Заряд затвора: 14нКл
- Входная емкость: 280пФ
- Тип монтажа: Surface Mount
- Корпус: SOT-223
- Вес брутто: 0.85 г
Транзистор STN2NF10 находит широкое применение в различных областях электроники: импульсных источниках питания, инверторах, преобразователях напряжения, драйверах двигателей, коммутационных цепях и многих других схемах, где требуются высокая производительность, надежность и энергоэффективность. Благодаря компактному поверхностно-монтируемому корпусу SOT-223, данный компонент удобен для использования в современных миниатюрных устройствах.