STD16NF06T4, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 16А 0.06 Ом
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ST Microelectronics |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 60В |
| Ток стока макс.: | 16A |
| Сопротивление открытого канала: | 70 мОм |
| Мощность макс.: | 40Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2В |
| Заряд затвора: | 14.1нКл |
| Входная емкость: | 400пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | DPAK |
| Вес брутто: | 0.6 г. |
| Наименование: | STD16NF06T4 |
| Производитель: | ST Microelectronics |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 60V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 2500 шт |
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канальный STD16NF06T4 от компании ST Microelectronics является высококачественным электронным компонентом, предназначенным для использования в широком спектре электронных устройств. Этот транзистор отличается надежностью, высокой производительностью и оптимальными характеристиками, что делает его незаменимым элементом при разработке различных электронных схем.
Ключевые характеристики транзистора STD16NF06T4:
- Напряжение исток-сток макс.: 60В
- Ток стока макс.: 16A
- Сопротивление открытого канала: 70 мОм
- Мощность макс.: 40Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Пороговое напряжение включения макс.: 2В
- Заряд затвора: 14.1нКл
- Входная емкость: 400пФ
- Тип монтажа: Surface Mount
- Корпус: DPAK
- Вес брутто: 0.6 г
- Описание Eng: MOSFET N-CH 60V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
- Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
- Нормоупаковка: 2500 шт
Транзистор STD16NF06T4 находит широкое применение в различных областях электроники, таких как импульсные источники питания, инверторы, преобразователи напряжения, управление двигателями, а также в других устройствах, где требуется надежное и эффективное управление электрическими нагрузками. Благодаря своим характеристикам, этот транзистор является отличным выбором для инженеров и разработчиков, стремящихся создавать высокопроизводительные и надежные электронные системы.