Представляем вашему вниманию высокопроизводительный полевой транзистор STP12NM50FP от известного производителя ST Microelectronics. Этот мощный N-канальный MOSFET транзистор отличается надежностью, высокой эффективностью и широким спектром применения в современной электронике.

Ключевые характеристики транзистора STP12NM50FP:

• Напряжение исток-сток макс.: 500В
• Ток стока макс.: 12A
• Сопротивление открытого канала: 350 мОм
• Мощность макс.: 35Вт
• Тип транзистора: N-канал
• Пороговое напряжение включения макс.: 5В
• Заряд затвора: 39нКл
• Входная емкость: 1000пФ
• Тип монтажа: Through Hole
• Корпус: TO-220FP
• Вес брутто: 2.32 г
• Описание Eng: MOSFET N-CH 500V 12A
• Тип упаковки: Tube (туба)
• Нормоупаковка: 50 шт

Транзистор STP12NM50FP находит широкое применение в различных областях электроники, таких как импульсные источники питания, преобразователи напряжения, регуляторы мощности, инверторы, коммутирующие устройства и многое другое. Его высокие характеристики, включая большое напряжение пробоя, высокий ток и малое сопротивление открытого канала, позволяют эффективно использовать его в мощных электронных схемах с повышенными требованиями к надежности и энергоэффективности.