Представляем вашему вниманию высококачественный полевой транзистор MOSFET N-канальный STP4NK80Z от компании ST Microelectronics. Этот компонент отличается надежностью, высокой производительностью и широким спектром применения в современной электронной промышленности.

Транзистор STP4NK80Z обладает впечатляющими техническими характеристиками, которые делают его незаменимым в различных схемах и устройствах. Его ключевые параметры включают в себя высокое напряжение сток-исток до 800 В, максимальный ток стока 3 А и низкое сопротивление открытого канала всего 3,5 Ом. Кроме того, транзистор способен выдерживать мощность до 80 Вт, что делает его идеальным выбором для применения в высоковольтных и мощных электронных системах.

• Напряжение исток-сток макс.: 800В
• Ток стока макс.: 3A
• Сопротивление открытого канала: 3.5 Ом
• Мощность макс.: 80Вт
• Тип транзистора: N-канал
• Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
• Заряд затвора: 22.5нКл
• Входная емкость: 575пФ
• Тип монтажа: Through Hole
• Корпус: TO-220AB
• Вес брутто: 2.7 г.

Транзистор STP4NK80Z от ST Microelectronics находит широкое применение в различных областях электроники, таких как импульсные источники питания, инверторы, преобразователи напряжения, а также в промышленном и автомобильном оборудовании. Его надежность, высокая производительность и универсальность делают его идеальным выбором для инженеров и разработчиков, работающих над созданием современных электронных устройств.