IRL2910PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 55А 200Вт, 0.026 Ом
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 100В |
| Ток стока макс.: | 55A |
| Сопротивление открытого канала: | 26 мОм |
| Мощность макс.: | 200Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2В |
| Заряд затвора: | 140нКл |
| Входная емкость: | 3700пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220AB |
| Вес брутто: | 2.82 г. |
| Наименование: | IRL2910PBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 50 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию высококачественный полевой транзистор MOSFET N-канальный IRL2910PBF от компании Infineon Technologies. Этот транзистор отличается высокой надежностью, эффективностью и широким спектром применения в различных электронных устройствах.
Транзистор IRL2910PBF обладает впечатляющими техническими характеристиками, которые делают его незаменимым компонентом для решения широкого круга задач. Благодаря максимальному напряжению сток-исток 100В, максимальному току стока 55А и малому сопротивлению открытого канала 26 мОм, этот транзистор способен обеспечивать высокую мощность до 200Вт, что делает его отличным выбором для применения в силовой электронике, преобразователях, инверторах и других высокомощных устройствах.
- Напряжение исток-сток макс.: 100В
- Ток стока макс.: 55A
- Сопротивление открытого канала: 26 мОм
- Мощность макс.: 200Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Особенности: Logic Level Gate
- Пороговое напряжение включения макс.: 2В
- Заряд затвора: 140нКл
- Входная емкость: 3700пФ
- Тип монтажа: Through Hole
- Корпус: TO-220AB
- Вес брутто: 2.82 г
- Описание Eng: MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
- Тип упаковки: Tube (туба)
- Нормоупаковка: 50 шт
Транзистор IRL2910PBF находит широкое применение в различных областях электроники, включая источники питания, электродвигатели, усилители мощности, сварочное оборудование, зарядные устройства и другие высокомощные устройства. Благодаря своим характеристикам и надежности, этот транзистор является отличным выбором для инженеров и разработчиков, стремящихся к повышению эффективности и производительности своих проектов.