BSS123, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 0.17А 0.36Вт, 6.0 Ом
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Diodes Incorporated |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 100В |
| Ток стока макс.: | 170мА |
| Сопротивление открытого канала: | 6 Ом |
| Мощность макс.: | 360мВт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2В |
| Заряд затвора: | 2.5нКл |
| Входная емкость: | 73пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOT-23 |
| Вес брутто: | 0.05 г. |
| Наименование: | BSS123 |
| Производитель: | Diodes Incorporated |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт |
Описание
BSS123, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 0.17А 0.36Вт, 6.0 Ом - надёжный электронный компонент, который широко используется в различных областях электроники.
Технические характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 170мА Сопротивление открытого канала: 6 Ом Мощность макс.: 360мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Производитель: Diodes Incorporated. Компонент имеет стабильные характеристики и хорошую тепловую проводимость, что обеспечивает его долговечность.
Назначение: Идеально подходит для использования в телекоммуникационном оборудовании, автомобильной электронике и системах автоматизации.