IRFI640GPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9.8А 40Вт, 0.18 Ом
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Vishay |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 200В |
| Ток стока макс.: | 9.8A |
| Сопротивление открытого канала: | 180 мОм |
| Мощность макс.: | 40Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 70нКл |
| Входная емкость: | 1300пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220F |
| Вес брутто: | 2.87 г. |
| Наименование: | IRFI640GPBF |
| Производитель: | Vishay |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 200V 9.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 50 шт |
Описание
IRFI640GPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9.8А 40Вт, 0.18 Ом - надёжный электронный компонент, который широко используется в различных областях электроники.
Технические характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 9.8A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Производитель: Vishay. Компонент имеет стабильные характеристики и хорошую тепловую проводимость, что обеспечивает его долговечность.
Назначение: Идеально подходит для использования в телекоммуникационном оборудовании, автомобильной электронике и системах автоматизации.