Представляем вашему вниманию высокопроизводительный полевой MOSFET транзистор IRFP4668PBF от компании Infineon Technologies. Этот мощный N-канальный транзистор предназначен для использования в широком спектре электронных устройств, где требуется надежное управление большими токами и высокими напряжениями.

Транзистор IRFP4668PBF отличается впечатляющими характеристиками, которые делают его незаменимым компонентом в современной электронике. Благодаря максимальному напряжению сток-исток 200В, максимальному току стока 130А и максимальной мощности 520Вт, этот транзистор способен справиться с самыми сложными задачами.

• Напряжение исток-сток макс.: 200В
• Ток стока макс.: 130A
• Сопротивление открытого канала: 9.7 мОм
• Мощность макс.: 520Вт
• Тип транзистора: N-канал
• Пороговое напряжение включения макс.: 5В
• Заряд затвора: 241нКл
• Входная емкость: 10720пФ
• Тип монтажа: Through Hole
• Корпус: TO-247AC
• Вес брутто: 7.04 г

Транзистор IRFP4668PBF находит широкое применение в различных областях электроники, таких как мощные источники питания, инверторы для возобновляемых источников энергии, электродвигатели и многое другое. Его высокая надежность и производительность делают его незаменимым компонентом для инженеров, занимающихся разработкой современных электронных устройств.