IRL530NSTRRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 17A D2PAK
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 100В |
| Ток стока макс.: | 17A(Tc) |
| Сопротивление открытого канала: | 100 мОм @ 9А, 10В |
| Мощность макс.: | 3.8Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2В @ 250 µA |
| Заряд затвора: | 34нКл @ 5В |
| Входная емкость: | 800пФ @ 25В |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | D2PAK/TO263 |
| Вес брутто: | 1.35 г. |
| Наименование: | IRL530NSTRRPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK |
| Нормоупаковка: | 800 шт. |
Описание
Компонент IRL530NSTRRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 17A D2PAK - это современное решение для электронных приложений с высокими требованиями к качеству.
Ключевые характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 17A(Tc) Сопротивление открытого канала: 100 мОм @ 9А, 10В Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Производитель: Infineon Technologies. Благодаря проверенной конструкции и оптимальным параметрам, этот компонент обеспечивает надёжную работу в течение длительного времени.
Рекомендуется для: Систем управления энергией, промышленного оборудования, приборов измерения и контроля.