Высокопроизводительный полевой транзистор MOSFET N-канальный STP21N65M5 от компании ST Microelectronics является надежным и эффективным решением для широкого спектра электронных устройств. Этот транзистор отличается высоким напряжением между истоком и стоком, мощностью и токовой нагрузкой, что делает его идеальным выбором для применения в преобразователях, инверторах, источниках питания и других силовых электронных схемах.

Ключевые характеристики STP21N65M5:

• Напряжение исток-сток макс.: 650В
• Ток стока макс.: 17A
• Сопротивление открытого канала: 190 мОм
• Мощность макс.: 125Вт
• Тип транзистора: N-канал
• Пороговое напряжение включения макс.: 5В
• Заряд затвора: 50нКл
• Входная емкость: 1950пФ
• Тип монтажа: Through Hole
• Корпус: TO-220AB
• Вес брутто: 2.73 г.

Транзистор STP21N65M5 идеально подходит для использования в широком спектре силовой электроники, включая регуляторы напряжения, импульсные источники питания, преобразователи постоянного тока, инверторы, а также в промышленных и бытовых электрических устройствах. Благодаря своим характеристикам, он обеспечивает надежную и эффективную работу в различных применениях, где требуется высокое напряжение, ток и мощность.

Данная модель поставляется в тубе по 50 штук, что удобно для сборки и хранения.