Транзистор полевой MOSFET IRF5802TRPBF от Infineon Technologies - это высокоэффективный ключевой элемент, обладающий рядом важных технических характеристик. Он предназначен для использования в различных электронных устройствах и системах, где требуется надежное и эффективное управление мощностью.

Данный транзистор отличается высоким напряжением сток-исток, максимальным током стока и низким сопротивлением открытого канала, что обеспечивает его эффективную работу в составе различных схем. Благодаря своим характеристикам он может применяться в широком спектре электронных приложений, от бытовой техники до промышленного оборудования.

• Напряжение исток-сток макс.: 150В
• Ток стока макс.: 900мА
• Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом
• Мощность макс.: 2Вт
• Тип транзистора: N-канал
• Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В
• Заряд затвора: 6.8нКл
• Входная емкость: 88пФ
• Тип монтажа: Surface Mount
• Корпус: TSOP-6
• Вес брутто: 0.04 г
• Описание Eng: Field-effect transistor, N-channel, 150 V, 0.9 A, 2 W
• Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
• Нормоупаковка: 3000 шт

Транзистор IRF5802TRPBF может найти применение в различных электронных устройствах, таких как импульсные источники питания, преобразователи напряжения, электродвигатели, а также в промышленной автоматизации и управлении. Его высокие характеристики и надежность делают его востребованным компонентом в современной электронике.