• Воронеж, Московский проспект, 114В, оф. 408

STP15NK50ZFP, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 14А 40Вт

Нет изображения
Категория:Одиночные MOSFET транзисторы
Производитель:ST Microelectronics
Наличие:В наличии
Напряжение исток-сток макс.:500В
Ток стока макс.:14A
Сопротивление открытого канала:340 мОм
Мощность макс.:40Вт
Тип транзистора:N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:4.5В
Заряд затвора:106нКл
Входная емкость:2260пФ
Тип монтажа:Through Hole
Корпус:TO-220F
Вес брутто:2.5 г.
Наименование:STP15NK50ZFP
Производитель:ST Microelectronics
Описание Eng:N-CHANNEL 500V, 0.30 OHM, 14A, 40W ZENER-PROTECTED SUPERMESH POWER MOSFET
Тип упаковки:Tube (туба)
Нормоупаковка:50 шт

Описание

Представляем вашему вниманию полевой транзистор STP15NK50ZFP от компании ST Microelectronics. Это надежный и высокопроизводительный компонент из категории одиночных MOSFET транзисторов, который отличается высокой надежностью и широкими возможностями применения в различных электронных схемах и устройствах.

Ключевые характеристики данного транзистора включают в себя максимальное напряжение исток-сток 500В, максимальный ток стока 14А, сопротивление открытого канала 340 мОм и максимальную мощность 40Вт. Транзистор имеет N-канальную структуру и пороговое напряжение включения не более 4.5В. Заряд затвора составляет 106нКл, а входная емкость - 2260пФ. Корпус транзистора - TO-220F, что позволяет использовать его в широком спектре применений.

  • Напряжение исток-сток макс.: 500В
  • Ток стока макс.: 14A
  • Сопротивление открытого канала: 340 мОм
  • Мощность макс.: 40Вт
  • Тип транзистора: N-канал
  • Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
  • Заряд затвора: 106нКл
  • Входная емкость: 2260пФ
  • Тип монтажа: Through Hole
  • Корпус: TO-220F
  • Вес брутто: 2.5 г

Транзистор STP15NK50ZFP может быть использован в различных электронных устройствах, таких как импульсные источники питания, инверторы, коммутирующие схемы, регуляторы напряжения и другие приложения, где требуется высокая мощность, надежность и эффективность. Благодаря своим техническим характеристикам, он является отличным выбором для широкого круга задач в области силовой электроники.