STP9NK50Z, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 7.2А, 110Вт
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ST Microelectronics |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 500В |
| Ток стока макс.: | 7.2A |
| Сопротивление открытого канала: | 850 мОм |
| Мощность макс.: | 110Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4.5В |
| Заряд затвора: | 32нКл |
| Входная емкость: | 910пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220AB |
| Вес брутто: | 2.7 г. |
| Наименование: | STP9NK50Z |
| Производитель: | ST Microelectronics |
| Описание Eng: | N-CHANNEL 500V 0.72 OHM ZENER-PROTECTED SUPERMESH MOSFET |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 50 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию высококачественный полевой транзистор STP9NK50Z от известного производителя ST Microelectronics. Этот компонент относится к классу одиночных MOSFET транзисторов и обладает впечатляющими характеристиками, которые делают его незаменимым в широком спектре электронных устройств.
Основные преимущества данного транзистора - высокое напряжение между истоком и стоком до 500В, максимальный ток стока до 7.2А и мощность рассеяния до 110Вт. Эти показатели позволяют использовать STP9NK50Z в мощных силовых схемах, таких как импульсные источники питания, инверторы, преобразователи напряжения и другие высоковольтные приложения.
- Напряжение исток-сток макс.: 500В
- Ток стока макс.: 7.2A
- Сопротивление открытого канала: 850 мОм
- Мощность макс.: 110Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
- Заряд затвора: 32нКл
- Входная емкость: 910пФ
- Тип монтажа: Through Hole
- Корпус: TO-220AB
Благодаря своим характеристикам, транзистор STP9NK50Z находит широкое применение в различных областях электроники: источниках питания, инверторах, преобразователях напряжения, усилителях мощности, коммутационных схемах, а также в промышленной и бытовой электронике. Его высокая надежность и стабильность параметров делают его отличным выбором для инженеров и разработчиков, стремящихся создавать эффективные и надежные электронные устройства.