IRLU8259PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 57A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 25В |
| Ток стока макс.: | 57A |
| Сопротивление открытого канала: | 8.7 мОм |
| Мощность макс.: | 48Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2.35В |
| Заряд затвора: | 10нКл |
| Входная емкость: | 900пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-251 |
| Вес брутто: | 0.7 г. |
| Наименование: | IRLU8259PBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 25V 57A IPAK |
| Нормоупаковка: | 15 шт |
Описание
Техническое описание: IRLU8259PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 57A. Категория: электронные компоненты. Производитель: Infineon Technologies.
Назначение: компонент категории электронные компоненты для использования в электронных узлах и схемах.
Ключевые параметры:
- Сопротивление открытого канала: 8.7 мОм
- Тип монтажа: Through Hole
- Тип транзистора: N-канал
- Ток стока макс.: 57A
- Вес брутто: 0.7 г.
- Входная емкость: 900пФ
- Заряд затвора: 10нКл
- Корпус: TO-251