IRLR8726PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 86А 75Вт
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 30В |
| Ток стока макс.: | 86A |
| Сопротивление открытого канала: | 5.8 мОм |
| Мощность макс.: | 75Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2.35В |
| Заряд затвора: | 23нКл |
| Входная емкость: | 2150пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | DPAK/TO-252AA |
| Вес брутто: | 0.6 г. |
| Наименование: | IRLR8726PBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 30V 86A DPAK |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 75 шт |
Описание
IRLR8726PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 86А 75Вт — электронный компонент категории электронные компоненты. Производитель: Infineon Technologies.
Назначение: компонент категории электронные компоненты для использования в электронных узлах и схемах.
Ключевые параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 30В
- Нормоупаковка: 75 шт
- Описание Eng: MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
- Особенности: Logic Level Gate
- Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В
- Производитель: Infineon Technologies
- Сопротивление открытого канала: 5.8 мОм
- Тип монтажа: Surface Mount